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2、
fig. 13 shows that a change of the gate voltage from 10v to 15v hardly influences the spectrum.
图13展示出栅源极电压从10伏特到15伏特变化几乎不对干扰频谱产生影响。
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3、
为在峰值6安培漏极电流下获得适当的频谱，选择13伏特的栅源极电压和380伏特的漏源极电压为参考。
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4、
在此基础上，对各抑制因子随源漏电压、栅极电压、温度及源漏掺杂浓度的变化特性进行了研究。
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5、
电流密度在纳米线顶端边缘处最大，而且随着栅极电压的增加而呈指数增加。
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6、
luminescence intensity increased, but the role of the gate voltage to control current is not ideal.
器件的发光强度有所提高，但栅压对载流子的控制作用不理想。
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7、
因此通过控制量子点上的电压可以实现量子线上的自旋输运反转。
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存储装置的擦除可包含：施加栅极电压至字线且施加偏压至虚拟字线。
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9、
阐述了软降栅压和软关断的过电流保护原理，列出具体的保护时序参数。
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